用于SiC MOSFET / IGBT的先进单通道高压隔离汽车栅极驱动器

GD3160 新的

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GD3160框图

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特征

手术

  • ±15个分体式输出栅极电流驱动器
  • 可编程HV V.CC.调节器输出:14 V至21 V,1 V步骤
  • 最大V.CC.输出电压:23 V.

保护

  • 具有可编程偏移和增益的NTC热敏电阻或二极管传感器的集成HV温度传感(TSENSE)
  • 更快的V.ceDesat检测和反应时间:<1.2μs(SIC)
  • 改进的PWM死区时间范围降低切换损耗(SIC)
  • 可编程的两级关闭(2LTO)和软关机(SSD)

功能安全

  • 其他可编程故障引脚(INTA)
  • 集成的HV故障管理(FSISO)
  • 可编程V.ce输出监控

绝缘/隔离

  • 最小共模瞬态免疫(CMTI)> 100 V / NS
  • 5000 V.rms.每UL1577(计划)的电流隔离

关键参数

  • 设备功能
    HV隔离IGBT&SIC单门驱动器IC
  • 负载电流(IL)[典型型](a)
    15.
  • 渠道数量
    1
  • 耐漏电源(典型值)(MOHM)(RDS(ON))
    500.
  • 负载电压(min)(v)
    -12
  • 负载电压(MAX)(V)
    25.
  • 电源电压[min](v)
    4.5,4.75
  • 电源电压[max](v)
    40
  • 接口和输入控制
    SPI / PWM.
  • 环境工作温度(min至最大)(℃)
    -40到125.

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